高分辨场发射透射电子显微镜
发布时间：2024-09-27
JEM-F200高分辨场发射透射电子显微镜，具备高分辨成像及电子衍射分析等功能，可对材料的微观组织及结构进行表征、微区成分进行分析。并且借助原位附件可在纳米尺度下完成原位力学、热学及电化学性能测试。可为材料的性能变化机理、材料改性和工艺优化提供重要依据，也能为材料失效原因的精准定位提供直接证据。
一、仪器信息
仪器名称：高分辨场发射透射电子显微镜
生产制造商：日本电子株式会社（JEOL）
型号：JEM-F200
二、主要技术参数
1. 点分辨率：0.23 nm/200kV；
2. 线分辨率：0.1nm/200kV；
3. STEM-HAADF分辨：0.16nm；
4. 放大倍率：TEM：×20~2.0M；
STEM：×200~150M；
5. 能谱仪（EDS）：探测面积：200mm2；
元素分析范围：4Be~92U；
6. 原位电学探针测试:
探针粗调范围：XY方向2.5mm，Z方向1.5mm
探针细调范围：XY方向18μm，Z方向1.5μm
探针细调分辨率：XY方向0.4nm，Z方向0.04nm
7. 原位纳米力—热测试：
拉伸测试时最大纵向载荷：100mN
拉伸测试时最大位移：2μm
纵向载荷分辨率：3nN
位移分辨率：0.05nm
8. 原位电学测试：
电流精度：±0.15%+100nA
测量电压分辨率：500μV
测量电流分辨率：500fA
三、应用领域
广泛应用于金属、能源化工、电子半导体等领域。
四、服务范围
1.对材料进行微观形貌表征、电子衍射分析、二次电子成像、高分辨成像等；
2. EDS元素分析；
3.通过相应的原位附件，可以在纳米尺度下完成原位力学、原位热学以及原位电化学性能测试。